سامسونگ‌الکترونیک ساخت حافظه سه بعدی با نام 3D V-NAND را در کشور چین آغاز کرده است.
این حافظه‌های سه بعدی 32 لایه دارند و هر تراشه‌ی آن ظرفیتی معادل 128 گیگا بایت دارد. به گفته‌ی «جونگ هیوک چوی» مدیر بخش تکنولوژی و حافظه‌های فلش شرکت سامسونگ، این محصول حاصل سال‌ها تلاش متخصصان برای حرکت فراتر از روش‌های متعارف است و نوآوری‌هایی را با هدف غلبه بر محدودیت‌های این عرصه معرفی میکند.
از ویژگی‌های شاخص این حافظه‌های سه بعدی، قابلیت حفاظت از اطلاعات تا پنج برابر بیشتر در مقایسه با نسل قبلی یعنی حافظه‌های 2 بعدی (2D-NAND) است. همچنین در این نوع فلش، سرعت ثبت اطلاعات و بازیابی آن دو برابر افزایش یافته است. از دیگر ویژگی‌های مهم حافظه‌های سه بعدی می‌توان به بهبود 40 درصدی عملکرد مصرف انرژی و عمر باتری اشاره کرد.
خط تولید حافظه سه بعدی در یک مجتمع صنعتی در شهر «ژیان» چین که نقطه شروع جاده‌ی ابریشم است، قرار دارد و ساخت آن 20 ماه به طول انجامیده است. حدود 50 درصد فلش‌‌های جهانی ناند در پایگاه‌های تولیدی و توسط تعداد زیادی از شرکت‌های آی تی در این مجتمع صنعتی تولید می‌شود. سامسونگ تصمیم دارد تا آخر امسال این مجتمع صنعتی را که شامل تکنولوژی، مونتاژ و خط آزمایش نیز هست، تکمیل کند.